结晶蒸发器工艺介绍
1. 控制过饱和度水平，使过饱和度主要以生长的方式消耗，避免初级成核，控制二次成核。通常成核晶体的大小为0.1到10微米。
2. 避免清液开车。开车时，加入晶种。比如加入产品量的10%的细晶种。
3. 晶体生长速率：溶液结晶大约在0.1-0.8 mm/h ，熔融结晶比溶液结晶快1到2个数量级。对于大多数系统来说，10-7m/s的增长速率发生在30℃左右，但对于nacl来说，这个速率直到70℃才会出现。例如，在10-7m/s的生长速度下，晶体在3小时内生长到2 mm；如果生长速度为10-9m/s，则晶体生长到2 mm需要10天。
4. 过度混合通常会抑制生长。由于晶体撞击泵和混合器叶轮的二次“接触成核”，混合也会影响晶粒尺寸分布csd，---是在反应结晶中。
5. 晶体的典型目标平均粒径为0.075~3 mm的方形或圆形，多数在1~1.5 mm。
6. 清洗晶体很关键：洗得太少产品纯度低；洗得太多会导致晶体重新溶解并损失产量。
7. 热量计算：冷却时用2.9kj/kg/k(估算比热)加75-230kj/kg的结晶热结晶产品。水的蒸发需要4.6mj/kg的结晶产品(对于溶解度为33%的产品，比如)。晶浆固液混合物粘度为液相粘度的1.5~2倍。换热系数：冷却结晶k值常见在150-350w/㎡/k，蒸发k值常见在800-3200 w/㎡/k之间。双效降膜蒸发器公司
蒸发结晶器的结构示意图。 落实措施方法 蒸发结晶器，包含外壳1、圆筒形挡板2、及导流筒3，上述圆筒形挡板2及导流筒3坐落于外壳i。上述导流筒3的内壁面和外壁面均为光洁面，双效降膜蒸发器公司，上述圆筒形挡板2的内壁面和外壁面均为光洁面。上述导流筒3由直筒型体31和圆锥形的张口 32相连而成，圆台母线与直筒型体31中心线的交角为20°、25。或30° ;直筒型体31的相对高度为35cm。此类蒸发结晶器，导流筒的内壁面和外壁面均为光洁面，圆筒形挡板的内壁面和外壁面也均为光滑面。应用全过程中积垢较少，可合理增加使用时间，生产制造持续了，生产率也高，而且减少对使用员工的标准和劳动效率。自然，以上表明并不是是对本产品的限定，本实用新型也并不于以上举例说明，本技术领域的人员在本产品的本质范畴内所作出的转变、改形、加上或更换，也应归属于本产品的保 护范畴。
1.蒸发结晶过程设计环节
从市场上对晶体产品的功能性性质要求转换成物性性质，明确工艺的主要解决的具体问题。
2.结晶工艺选择和确定
通过研究对象的热力学性质，结合相图，确定工艺方法和适宜的工艺路线。
3.结晶器类型选择
根据产品性能指标，选择标准设备，多功能双效降膜蒸发器公司，确定合适的结晶器类型，钛材双效降膜蒸发器公司，对结晶器结构进行优化设计
4.结晶器结构沿革
通过对工业化过程结晶器常见类型的沿革分析，全自动双效降膜蒸发器公司，以理论指导实践，分析结晶器结构流场变化如何导致设备功能的划分，明确不同类型结晶器的本质区别，分析各种类型结晶器的优缺点，指明工业化结晶器选型时常见的不恰当表述。
5.工艺优化
对连续操作结晶过程的开车、稳定运行系统物料状态的变化，明确结晶器内颗粒周期性波动的原因。系统分析如何通过细晶消除、粒度分级、分级排料、晶浆密度调节、产品纯度和收率的平衡策略等方面进行介绍。双效降膜蒸发器公司
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